DDR4内存条的时序参数可以在其规格书或者产品手册中找到。如果您需要具体了解某款DDR4内存条的时序参数，可以参考厂商提供的产品规格书或咨询相关技术支持。
DDR4内存条的时序参数可以在其规格书或者产品手册中找到。一般情况下，内存时序包括以下几个参数：
1. CAS延迟（CL）：表示内存控制器读取内存数据所需的时间，较小的值意味着内存读取速度更快。
2. RAS到CAS延迟（tRCD）：表示需要读取行地址后到读取列地址的延迟时间，也是读取内存数据的一项重要参数。
3. RAS预充电（tRP）：表示读取完数据后需要对内存预充电的时间。
4. RAS活动时间（tRAS）：表示内存行地址被激活后需要保持的时间。
5. 数据传输时间（tRTP）：表示在两次读取内存操作之间所需的最小时间间隔。
6. 命令地址延迟（tCL）：表示发送读取或写入命令后到发送首个数据位置的时间。
这些时序参数对内存性能和稳定性都有一定的影响，较小的参数数值通常能提供更高的内存性能，但是也要考虑到主板和处理器对这些参数的兼容性。如果您需要具体了解某款DDR4内存条的时序参数，可以参考厂商提供的产品规格书或咨询相关技术支持。